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省推施意式印(d)不同扫描速率下S2电极的CV曲线。(d)在1000mAg-1电流密度下，进氢见正全电池的循环性能和相应库仑效率。
【图文导读】图1S0-S3样品的结构演变及表征(a)在水热钾化过程中从S0到S1、展实S2和S3的结构演变。河北(c)在不同电流密度下的全电池的倍率性能。然而，省推施意式印这些电极中会发生严重的相变结构变形，省推施意式印特别是在充电结束时，从而导致循环性能急剧下降，而且由于有限的层间空间导致K+离子扩散缓慢，倍率性能较差。
(b)对于S0-S3样品和标准水钠锰矿，进氢见正在10-80°的2θ区域中的XRD图案。高K含量的水钠锰矿在1.5-4.0V的电压范围以及100mAg-1的电流密度下可带来约134mAhg-1的超高可逆比容量、展实出色的倍率性能和卓越的循环稳定性。
由于结晶水可以充当层间柱以增大层间距离并抑制结构变形，河北因而含结晶水的K-水钠锰矿成为PIB的有潜力的阴极材料。
省推施意式印(b)S0电极在20mAg-1电流密度下的第一恒电流充电/放电曲线以及在2θ区域10.5-15.5°对应的非原位XRD图案。由于结晶水可以充当层间柱以增大层间距离并抑制结构变形，进氢见正因而含结晶水的K-水钠锰矿成为PIB的有潜力的阴极材料。
图3非水电解质中不同样品的K-储存特性(a)在电流密度为100mAg-1时，展实S0-S3电极在第一形成循环的充电/放电曲线。河北图5S2//HSC全电池用于K离子存储的示意图及其性能(a)用于K存储的S2//HSC全电池的示意图。
研究发现，省推施意式印在这种水钠锰矿中通过夹层中充足的K+离子和超薄纳米片形态，省推施意式印K+离子的扩散和结构稳定性得到显著改善，并且获得了超高可逆比容量（电流密度100mAg−1时约134mAhg-1）、较快倍率性能（电流密度1000mAg−1时77mAhg-1）以及优异的循环稳定性（在1000mAg-1下1000次循环后容量保持率为80.5%）。进氢见正图2S0-S3样品微结构的TEM表征(a)S0-S3样品的TEM图像。